2025年，全球碳化硅（SiC）外延片行业进入“8英寸冲刺年”。从瀚每天成、天域半导体两大年夜 代工龙头的产能军备，到湖南三安、安意法、天岳先辈等垂直整合者的通线战果，再到6英寸价格迫近成本线、8英寸均价一年腰斩，市场涌现 “头部会集、技能卡位、价格跳水”的典范特征。本文结合多家公司最新招股书及公开质料 ，对到场主体、产能结构、技能突破 与价格走势进行体系梳理。

到场企业格局：头部会集与多元竞争并存

全球SiC外延片市场已形成“头部引领、本土突起 ”的竞争格局，中国企业依附政策支持与产业链上风，在国表里市场中占据紧张职位。

从全球范围来看，瀚每天成体现凸起 ，作为全球首家实现8英寸SiC外延片大年夜 批量外供的企业，灼识咨询数据表现，2024年其以31.6%的全球市场份额（销量折合6英寸）位居全球第一，客户覆盖全球前五大年夜 SiC器件巨擘 中的四家，累计交付高出50万片碳化硅外延芯片。其市园职位依托于成熟的商业化本领与全球化客户结构，形成了显著的先发上风。

在中国市场，竞争涌现 高度会集态势。弗若斯特沙利文数据表现，以收入计，2024年中国SiC外延片市场前五大年夜 到场者均为中国公司，占据87.6%的收入份额，其中天域半导体以30.6%的收入（约4亿元）占比和32.5%的销量占比（约6.7万片）成为行业领军者之一，是国内首批实现4英寸、6英寸量产及8英寸量产的企业之一。与位列其后 的中国公司形成了地区会集、技能互补的竞争格局。

别的，行业还涌现出一批各具上风的到场者：湖南三安半导体依附20余年化合物半导体经验，构建了衬底与外延协同的技能本领；安意法半导体（重庆）作为三安光电与意法半导体的合伙 企业，建成国内首条8英寸车规级SiC功率芯片范围 化量产线；普兴电子、长飞先辈、百识电子等企业则在6英寸量产与8英寸研发领域 持续突破 ，配合 组成 了中国SiC外延片市场的多元竞争生态。

从市场格局来看，碳化硅外延片行业已开始 形成了“自力 代工+垂直整合+IDM自产”三轨并行的竞争结构，与此同时，衬底龙头企业也在加快向下游延伸，构建从材推测器件的完备链条，并形成梯队分明、多元结构的竞争格局：

·第一梯队：天域半导体、瀚每天成等，已实现6/8英寸范围 化量产并占据重要市场份额；

·合伙 与专业代工：安意法半导体、重投天科、长飞先辈等，聚焦车规级与特种工艺；

·新兴气力：株洲中车、芯合半导体、飞锃半导体等，正在快速推动 8英寸技能验证与产能建立。

碳化硅外延片已开始 形成梯队分明、多元结构的竞争格局

产能结构与扩张：8英寸成增长 核心，范围 效应凸显

陪同下游需求爆发与技能成熟，SiC外延片行业进入产能扩张周期，6英寸保持 稳定供给，8英寸成为产能结构的核心标的目的 。

（一）团体产能范围 持续扩大年夜

从行业团体来看，综合Omdia、Yole、灼识咨询等机构数据，全球SiC外延片销量从2020年的24.19万片增至2024年的98.99万片，估计 2029年将进一步增至595.94万片，年复合增长 率显著。国内企业产能扩张尤为积极：天域半导体现有总部基地年产能42万片，2025年生态园临盆 基地将新增38万片产能，总产能有望达80万片，未来2年总产能有望进一步提升至160万片/年；瀚每天成2024年产能为25.86万片，筹划2029年将8英寸产能提升至46.3万片/年，目标使用率超70%；长飞先辈武汉基地于2025年投产后形成合计42万片/年的碳化硅晶圆及外延产能；安意法半导体筹划 达产后8英寸外延、芯片产能为48万片/年，成为车规级领域 的紧张产能支持。

（二）产品 结构向8英寸倾斜

8英寸SiC外延片依附显著的范围 效应成为产能扩张的核心标的目的 。数据表现，8英寸芯片面积较6英寸增长1.8倍，边缘芯片比例由14%降至7%，裸芯片数目增长90%，大年夜 幅提升芯片使用率并降低单位成本。制止2024年，全球具备成熟8英寸SiC外延技能的公司不高出10家，中国已有天域半导体、瀚每天成、湖南三安等五家企业实现该技能突破 。

企业层面，天域半导体2024年开始量产8英寸产品 ，2025年前五个月销量达7772片，较2024年同期增长 约350%；瀚每天成8英寸销量从2023年的285片增至2024年的7466片，2025年前五个月进一步增至2914片；株洲中车、芯合半导体、飞锃半导体等企业也加快推动 8英寸产线建立，估计 2025年底至2026年将陆续开释产能。

（三）6英寸仍保持 紧张职位

只管8英寸增长 迅猛，6英寸SiC外延片仍依附成熟的临盆 工艺与成本上风，在中恒久内保持需求增长 。Omdia、Yole、灼识咨询等机构数据表现，2024年全球6英寸SiC外延片销量达82.28万片，2020-2024年年复合增长 率44.6%，估计 2029年将增至216.05万片。国内企业中，普兴电子筹划2025年将6英寸产能提升至30万片；天域半导体6英寸销量2023年达125799片，占据其总销量的96.3%，照旧当前收入的核心支持。

技能突破 与立异 ：8英寸商业化提速，性能持续优化

技能立异 是SiC外延片行业发展的核心驱动力，当前行业聚焦于大年夜 尺寸化、缺陷控制、工艺优化三大年夜 标的目的 ，鞭策 产品 性能与良率持续提升。

（一）8英寸技能实现范围 化突破

8英寸SiC外延片的商业化是行业最关键的技能里程碑。天域半导体2022年完成8英寸外延片研发，2024年实现量产，制止2025年5月已有14家潜在客户完成验证并部门下达订单；瀚每天成通过优化温度、压力、气流散布 等工艺参数，解决了8英寸外延发展 的核心技能困难，产品 质量到达国际先辈程度，成为全球首家实现8英寸大年夜 批量外供的企业；湖南三安8英寸碳化硅外延产能已达2000片/月（2025年6月末），产线实现通线；芯合半导体8英寸SiC产线初次流片即取得97.26%的高良率，显现出成熟的技能转化本领。

（二）缺陷控制与匀称性提升成效显著

缺陷密度与掺杂匀称性是决议 SiC外延片性能的关键指标。瀚每天成开辟的BPD-free外延发展 技能，可将BPD位错转化率超99.9%，使外延芯片中BPD缺陷数目近乎为零；通过准确调整外貌热场、流场及碳硅比参数，其产品 掺杂散布 匀称性显著提升；普兴电子攻克6英寸车用大年夜 电流MOSFET碳化硅外延技能，弥补国内空缺；长飞先辈、中电化合物等企业通过预蚀刻懈弛 冲层技能，有用淘汰衬底缺陷向外延层的延伸，显著提升产品 良率。别的，针对超高电压器件需求，瀚每天成开辟出厚度超200微米的外延层技能，仅含五个三角形缺陷，为IGBT等超高电压碳化硅功率器件制造提供支持。

（三）工艺优化鞭策 成本下降

技能成熟度的提升直接带动临盆 成本优化。国内制造商已能提供进口衬底的替代品，叠加临盆 效率提升与市场竞争加剧，碳化硅衬底全球平均售价从2020年的6400元降至2024年的4500元。同时，企业通过增长发展 速率、优化工艺参数等办法 ，进一步降低单位临盆 成本，为行业范围 应用奠基基础。

产品 价格走势：持续下行后趋稳，结构分化明显

受产能扩张、技能成熟、原质料贬价等多重因素 影响，全球SiC外延片价格涌现 持续下行趋势，但不同尺寸产品 价格分化显著，未来下降幅度将逐渐收窄。

（一）团体价格下行趋势明确

2020-2024年，全球SiC外延片价格因原质料成本下降、技能成熟及产能提升持续走低。行业阶段性供过于求进一步加剧了价格压力，2024年SiC外延片及衬底市场价格下降明显，天域半导体外延片平均售价从2023年的8831元降至2024年的6753元，瀚每天成6英寸产品 价格也涌现 逐年下降态势。具体来看，6英寸SiC外延片2024年市场平均价格约为7300元/片，估计 2029年将降至4400元/片，核心驱动因素 为碳化硅衬底价格下降。

（二）不同尺寸价格分化显著

大年夜 尺寸产品 因技能壁垒较高，价格虽同样下行但绝对值仍高于小尺寸产品 ，且下降幅度更为明显。天域半导体数据表现，2025年前五个月4英寸、6英寸、8英寸产品 平均售价分别为2840元/片、3138元/片、8377元/片，较2024年同期分别下降42.5%、60.4%、52.1%；瀚每天成8英寸外延片贩卖的平均售价从2023年的21000元/片降至2024年的13620元/片，2025年前五个月进一步降至8916元/片。价格差异反映了不同尺寸产品 的技能成熟度与产能供给环境，8英寸产品 仍处于“贬价换量”的市场拓展阶段。

（三）未来价格走势趋稳

跟着 SiC外延片产品 加快迭代及下游应用需求持续增长 ，同尺寸产品 价格下降幅度将逐渐缩小。一方面，下游电动汽车、储能等领域 的需求爆发将消化过剩产能，鞭策 市场供需趋于均衡；另一方面，8英寸产品 占比提升将在一定程度上支持团体价格程度，叠加企业通过范围 效应降低成本，行业价格有望逐步企稳。天域半导体、瀚每天成等企业通过“以价换量”策略扩大年夜 市场份额，2025年销量均实现显著增长 ，印证了价格调整对需求的刺激感化 。

行业总结与展望

SiC外延片行业正处于技能迭代与市场扩张的关键期，8英寸商业化、产能范围 化、技能精细化成为核心发展趋势。企业层面，头部企业依附技能积累与产能上风巩固市园职位，中小企业则聚焦细分领域 实现差异化竞争；技能层面，缺陷控制与大年夜 尺寸工艺持续突破 ，鞭策 产品 性能与成本性 价比提升；市场层面，下游需求增长 与政策支持（如中国《制造业可靠性提升实验意见》、欧盟《欧洲芯片法案》等）配合 支持行业恒久发展。

未来，跟着 8英寸产能持续开释、技能成本进一步下降，SiC外延片将在更多新兴领域 实现渗出，行业市场范围 有望持续扩大年夜 。但同时，企业需应对价格竞争、技能迭代及供给 链波动等挑战，通过技能立异 、产能优化与客户拓展构建核心竞争力，配合 鞭策 全球SiC外延片行业迈向高质量发展新阶段。