今日，存储芯片正式开端 涨价海潮。

自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折 。

存储芯片的两年夜 主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。

01 NAND，开端 涨价

打响涨价第一枪的是NAND存储年夜 厂闪迪，其表现将于4月1日开端 实施涨价，涨幅将超10%，该举措实用于全部面向渠道和消费类产品 。

紧接着美光也告知将针对新订单提高代价，均匀 涨幅约11%。3月25日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。

之后，SK海力士、三星接踵 公布将于4月同步上调NAND闪存代价。

按照 渠道反馈，国产存储公司的零售品牌致态公布，将于4月起上调提货代价，涨幅可能超过10%。

一系列新闻 接踵而至，在业内引起轩然年夜 波。

新一季度，NAND 芯片代价出现反弹，这紧张归功于各年夜 NAND 龙头武断 且迅速地调解减产步伐。

跟着 2024年NAND产品 代价走势疲软，为提早应对市场供过于求问题，美光、三星、SK海力士、铠侠等原厂连续从2024年第4季重启减产步伐，借此克制NAND代价的下跌趋势。

今年1月，美光新加坡NAND厂突发断电，导致NAND供货吃紧。群联科技执行长潘健成亦透露，虽从2024年12月已向美光下单采购，但近期却不测发生交货不足的问题。三星电子和SK海力士两年夜 韩厂的减产步伐也在连续发酵，其中三星在3月的交货量仅有原来 订单的20-25%。

其实，早在上个月，现货市场的动向就透出了一些不平常的信号。

CFM的报价表现，小容量的eMMC以及一些SSD产品 的代价已悄然上升，个别渠道也开端 了涨价的摸索性动作。

TrendForce不日 发布陈诉称，预计2025年第二季NAND Flash代价将止跌回稳，环比增加0-5%。其中Client SSD合约价将季增3%-8%；Enterprise SSD合约价将持平第一季；eMMC合约价将与上季持平。NAND Flash Wafer合约价将季增10%-15%。

叠加上述存储龙头的最新涨价动作，市场上已经有人嗅到这一商机，开端 囤积SSD了，盼着在NAND代价飙升之际年夜 赚一笔。

02 DRAM，跌幅收敛

再看DRAM市场在今年第二季度的代价走向。

先说结论，尽管DRAM市场还没有明确的涨价声音传出，但可以肯定 的是，第二季度DRAM市场代价跌幅将同步收敛。一般型DRAM代价跌幅将收敛至季减0%-5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi渐渐放量，预计均价为季增3%-8%。

详细数据方面：

在PC DRAM领域 ，DDR4代价走势偏弱，环比降落3%-8%；DDR5代价环比根本持平。

在Server DRAM领域 ，DDR4跌幅低于市场预期，环比降落3%-8%；DDR5代价也环比根本持平。

在Mobile DRAM领域 ，LPDDR4X跌幅将收敛至季减0%-5%；LPDDR5X代价将季增0%-5%。

在Graphics DRAM领域 ，GDDR6跌势将收敛至3%-8%；GDDR7代价将持平上季或缓跌，约降落0%-5%。

在Consumer DRAM领域 ，DDR3合约价环比持平，DDR4合约价季增0%-5%。

综合来看，DRAM的代价还将来到正向增加 区间。DRR5的合约代价年夜 约是从今年2月起连续上涨，LPDDR5X的代价也相对稳健，但DDR4、DDR3、GDDR6等产品 还在给存储市场“拖后腿”。

不日 有研讨 机构对8家干系企业举行采访后发明 ，很多概念 认为“对卖家来说，没有可以或许替代中国的市场，再加上受到低价的中国产品 影响，代价正在降落”。关于接下来的DRAM代价，企业认为可能要到下半年才会上涨的概念 居多。

03 HBM，市场暴涨880%

不日 ，SK海力士表现将来 AI 内存的需求远景光亮 。

预计今年HBM在SK海力士DRAM总贩卖额中的占比将超过50%。SK海力士CEO兼总裁

郭鲁正表现：“年夜 型科技公司正在扩年夜 投资，以确保在人工智能市场的领导地位。由于图形处置惩罚单元(GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我们预计 HBM 的需求将出现爆炸式增加 。”他增补道，“今年的 HBM 市场预计将比 2023 年增加 8.8 倍以上，另一种 AI 存储器企业固态硬盘 (SSD) 市场预计也将增加 3.5 倍”。此外，对于‘DeepSeek冲击’，他持乐观态度，并表现，假如各类 AI 生态系统 被激活，将有助于在中长期内增加（对 HBM 的）需求”。

为了继续引领AI市场，SK海力士还将继续预备CXL等下一代技能和产品 。郭鲁正表现：“除了HBM以外，我们还预备了CXL、LPCAMM2、SOCAMM等多种办理方案，从而不但仅作为AI内存供给 商，还能提供综合办理方案。”

04 国产存储厂商，蓄势待发

假如说，以前的存储市场紧张被国际厂商所包揽，现在国产厂商的强势出击，硬生生把这一格局，撕开一道年夜 口儿 。

在三星和SK海力士对华出口的存储产品 组合中，三星紧张向中国供给 LPDDR、NAND Flash、图像传感器和表现驱动器IC等。SK海力士则专注于DRAM和NAND产品 的临盆 和贩卖。

从去年开端 ，跟着 国产厂商竞争加剧，DDR3和DDR4内存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中国年夜 陆的这一市场中渐渐淡出。

预计从今年夏季开端 ，由于这些紧张厂商的退出，市场上DDR3和DDR4的供给 将显著淘汰。而这些需求的承接方，正是年夜 批国产存储芯片公司。

是以 ，在存储市场复苏之际，国产厂商有望迎来新的机会。

从国内市场来看，国产NAND产品 近期涨价根本已成事实。

不日 ，一家国内存储模组厂商负责人表现，今年全部存储芯片原厂的代价都在涨。几家存储芯片原厂的报价，在同一时代 内都会比较接近，差别不会很年夜 。其中，“小容量NAND是这一轮涨价里最先有反响 的品类，也是最早反弹的品种”。

目前存储芯片制作 商转向年夜 容量NAND临盆 ，小容量eMMC等产品 制作 转由模组厂商承担，受原厂晶圆订价影响。好比佰维存储、江波龙等模组厂商均基于原厂NAND推出eMMC产品 。

是以 ，在小容量市场复苏之际，这两家公司将同步受益。

佰维存储在继承23家机构调研时表现，在嵌入式存储领域 ，公司BGASSD已通过Google准入供给 商名单认证；在PC存储领域 ，公司SSD产品 目前已经进入联想、宏碁、惠普、同方等国表里知名PC厂商，此前佰维存储就表现，其旗下SP406/416系列企业级PCIe4.0 SSD、SS621系列企业级SATA SSD，与联想办事 器完成兼容性测试并获认证，强化企业级市场布局。

技能研发层面，3月初，佰维存储公布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量验证支持QLC颗粒并针对智能穿着设备 优化功耗，同时具备端到端数据掩护本领，实用于车规级运用 处 景。

据悉，2024年，佰维存储智能穿着存储业务收入同比年夜 幅增加 ，2025年将深化与Meta等客户在AI眼镜领域 的互助。

江波龙不日 正式向喷鼻 港联交所递交了发行境外上市外资股（H股），并在喷鼻 港联交所主板挂牌上市的申请。目前，江波龙在产品 布局上连续发力，其首颗32Gbit 2D MLC NAND完成流片验证，覆盖SLC/MLC多容量产品 ，实用于网络 通信 、安防监控等领域 。该公司目前拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四年夜 产品 线，经营三个紧张品牌，分别是FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前国内多家芯片厂商布局NAND存储芯片。包括兆易立异 、东芯股份、江波龙等。不外，兆易立异 、东芯股份NAND产品 均为2D SLC NAND。而本轮NAND涨价紧张以3D NAND产品 为主，而2D NAND今年代价始终平稳，未见显着代价拐点。

DRAM方面，北京君正于投资者互动平台表现，公司正在积极推进DRAM产品 的更新迭代，采用20nm工艺的新产品 预计将在2025年推出样品，后续还将连续推出更新工艺的DRAM产品 。此外，北京君正还计划在20nm工艺产品 之后，继续推进更先进工艺的DRAM产品 研发。

05 存储龙头，等候回春

在方才 过去的第一季度，存储巨头们过的可并不算快意。

美光：存储业务营收狂跌20%

不日 ，美光发布了截至2025年2月27日的2025财年第二财季财报，尽管在这一季度中美光实现营收80.5亿美元，同比增加 38%。但单拎出来其存储业务部分（SBU）看，可以发明 美光也面临着存储市场逆风的压力。

财报表现，美光SBU营收14亿美元，环比降落20%。

三星、SK海力士：对华出口暴跌

2024年，韩国芯片出口总额高达1330亿美元，其中近四成来自中国订单。

去年，三星和SK海力士这两家公司依托中国《推动 年夜 规模设备 更新和消费品以旧换新举措方案》干系举措，在华贩卖额实现年夜 幅增加 。

三星电子3月12日公布的业务陈诉表现，公司去年对华出口额同比增加53.9%，为64.9275万亿韩元，超过对美出口额61.3533万亿韩元。在公司对华出口额中，芯片贩卖占绝年夜 部分。另据三星电子审计陈诉数据，公司在中国西安的NAND工厂 （贩卖额11.1802万亿韩元，业务利润1.1954万亿韩元）和上海的半导体贩卖分公司（贩卖额30.0684万亿韩元）去年贩卖额也年夜 幅提升。

SK海力士同样在中国市场取得了稳健增加 。其无锡DRAM工厂 去年不但成功扭亏为盈，业务利润到达5985亿韩元，贩卖额也同比增加 64.3%，净利润同比年夜 增65.4%。SK海力士在中国的贩卖额为5.6万亿韩元，较前年有所增加。

暴涨之后，在2025年开年，形势急转直下。

最新数据表现，今年一月，韩国对华芯片出口暴跌22.5%，2月跌幅扩年夜 至惊人的31.8%。行业推测，3月跌幅可能突破30%，芯片出口量或将创十年新低。

"以前是订单接到手软，现在仓库堆满芯片卖不出去。"韩国半导体行业人士不日 感慨 ，这个曾依靠 存储芯片傲视环球的财产，端庄历着史无前例 的寒冬。

三星、美光、SK海力士等厂商此前已经退出SLC NAND Flash市场。出于成本服从身分 思量，市场预计后续外洋存储原厂可能渐渐退出MLC NAND Flash市场。跟着 国际巨头的渐渐淡出，国产存储公司的发挥空间便更年夜 了。

跟着 三年夜 存储龙头逐步转向附加值更高的HBM、DDR5等领域 。上个月，SK海力士公布推出面向 AI 的超高机能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4 内存，并在环球率先向紧张客户出样了 12Hi HBM4。

AI年夜 模型练习催生海量算力需求，HBM在DRAM市场的占比已近30%，预计到2026年HBM4将推动 定制化需求爆发。英伟达、AMD的新品发布周期，与三星、SK海力士的技能迭代形成共振，在此背景 下，国际存储龙头便可在存储市场的复苏海潮中享受更为丰富 的红利。