SK海力士:DRAM将缺货到2028年!

摘要

12月14日消息 ,据外媒Wccftech报道,外交平台“X”用户@BullsLab 分享的存储芯片年夜 厂SK海力士内部的分析 截图显示,DRAM缺货将会连续到2028年。SK海力士指出,除了面向数据中央运用 的HBM和SOCAMM之外,标准DRAM的供

12月14日消息 ,据外媒Wccftech报道,外交平台“X”用户@BullsLab 分享的存储芯片年夜 厂SK海力士内部的分析 截图显示,DRAM缺货将会连续到2028年。

SK海力士指出,除了面向数据中央运用 的HBM和SOCAMM之外,标准DRAM的供给 将会受到限制,直到2028年。因为 ,标准DRAM的产能增加 有限,而当前供给 商标准DRAM库存正在耗尽到最低程度。

在新增DRAM工场 方面,从建厂到产能开出后正常运营需要数年的前置时间,估量 新增产能将于2028年实现。此外,即使 利用现有的厂房,进行新技能转换(比如DDR4停产转换成DDR5,NAND制程转换成DRAM),也需要时间,这些都使得DRAM产能增加 受限。是以 ,随着供给 商库存程度正在急剧下降,供不应 求的局面将会更为紧张。

从DRAM需求端来看,SK海力士以为,在PC市场,如果以2026年PC出货量为基准,估量 将与2025年持平,但AI PC在整个PC市场的份额将从38%扩年夜 到55%,这也将推动所需的DRAM容量的提拔。

因为 人工智能需求激增,办事 器市场对于DRAM需求的急剧增加 ,B/G估量 将增加 24%。AI办事 器份额估量 将由2025年的38%增加 至2030年的53%。

此外,办事 器市场对于NAND Flash的需求也将会快速增加 ,估量 B/G将增加 18%。这重要是受到了AI需求激增的推动。SK海力士估量 ,面向办事 器的eSSD需求将同比增加 36%,而面向消耗者的NAND Flash需求虽无年夜 幅增加 ,但QLC产品占比估量 将有所扩年夜 。

存储芯片原厂的重要投资会合在办事 器DRAM/HBM上,导致NAND供给 相对缺乏 。是以 ,随着NAND Flash库存程度的连续低沉,估量 价值 将连续上涨。

别的,据“X”平台另一位网友@jukan05 爆料称,外界高估了苹果公司的供给 链解决 本领。因为 ,按照 其颠末过程 供给 链渠道调查的信息显示,苹果此前与三星和SK海力士签署的存储芯片的长期协议(LTA)即将于2026年1月到期。三星和SK海力士筹划从明年1月开端 提高对苹果公司的存储芯片供给 价值 ,是以 苹果也将会受到此存储芯片涨价所带来的严峻打击。

外资投行瑞银最新发布的预测陈诉显示,本年第四序DDR合约价将环比上涨35%,NAND Flash合约价将环比上涨20%。2026年第一季,DDR合商定 价将进一步上涨30%,NAND价值 也将上涨20%。瑞银估量 ,环球DRAM市场供给 缺乏 估量 将连续到2027年一季度。

然而,SK海力士内部文件则以为环球DRAM市场供给 紧张将连续到2028年,这个预测好像比瑞银更为悲观。

值得注意的是,在上一季的SK海力士财报电话 集会上,SK 海力士财务继承副社长金祐贤曾表现:“鉴于客户需求强劲,我们明年不仅 HBM,包括 DRAM、NAND 产能均已售罄。乃至有客户提前购置 了 2026 年的传统存储芯片。”

针对Wccftech的报道,SK海力士回应称,“如今已完成了新的M15X工场 两年的建立,将提前开业。专注于HBM临盆 的M15X工场 筹划于明年开端 周全 量产。别的,鉴于存储需求增加 比预期更为急剧,我们正积极颠末过程 建立包括M15X和将于2027年上半年开工的龙仁晶圆厂在内的先进临盆 基础办法,确保‘晶圆厂空间’和‘产能’。这将使我们能够高效应对对AI存储日益增加 的需乞降 不断变化的客户需求。”

编纂 :芯智讯-浪客剑

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