IT之家 6 月 21 日新闻 ，据投资研究 平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表现，未来晶体管设计将低落对先辈光刻设备的依靠，转而提拔刻蚀技术的核心职位。他以为，随着全环绕栅极场效应晶体管（IT之家注：
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IT之家 6 月 21 日新闻 ，据投资研究 平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表现，未来晶体管设计将低落对先辈光刻设备的依靠，转而提拔刻蚀技术的核心职位。   他以为，随着全环绕栅极场效应晶体管（IT之家注：即 GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型结构的发展 ，高端芯片制作 对光刻环节的总体需求将会削弱。  当前芯片制作 流程中：
这位英特尔总监强调，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构哀求 “从各个标的目的 包裹栅极”，使得横向去除多余材料成为症结 ，“制作 商将更专注于经由过程 刻蚀工艺去除材料，而非延伸晶圆在光刻机中的处理 时间来缩小特征 尺寸。” 
对于当前技术方案，目前最主流的还是鳍式场效应晶体管（FinFET），使晶体管底部连接绝缘材料，使电流经由过程 栅极来完成掌握 ；而新型设计则主要包罗： 英特尔总监表现，这种三维结构使芯片制作 “低落对最小特征 尺寸的依靠，因为不仅能在平面上实现高密度，还能经由过程 垂直堆叠告竣”，因此高数值孔径光刻机在先辈制程中的紧张性“将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先辈技术节点中的症结 职位”。 |
2025-05-03
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