IT之家 8 月 28 日消息，《日经亚洲》昨日（8 月 27 日）发布博文，报道称台积电 2nm 芯片技术外泄变乱涉案 3 人被检方起诉，别离 被哀求 判处 14 年、9 年和 7 年徒刑，目前相关案件正在审理过程中。消息称涉案的重要
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IT之家 8 月 28 日消息，《日经亚洲》昨日（8 月 27 日）发布博文，报道称台积电 2nm 芯片技术外泄变乱涉案 3 人被检方起诉，别离 被哀求 判处 14 年、9 年和 7 年徒刑，目前相关案件正在审理过程中。 消息称涉案的重要怀疑人陈（Chen，音译）姓男子曾任台积电工程师，熟悉公司严酷的保密轨制 与供给 商保密协议 。离职后，他参加日本半导体装备龙头 TEL 公司，并使用旧同事关系，多次索取 2 纳米蚀刻站相关机密文件和数据，将其拍摄、复制，用于资助 TEL 公司改进装备机能 。 IT之家援引博文先容，检方透露，被陈联络的台积电员工中，包罗吴某（Wu，音译）、葛某（Ge，音译）、廖（Liao，音译）某等人，他们在工作中有权限接触这些“焦点症结 技术”。检方控告，涉案文件共 12 页，涉及高度敏感的集成电路制造工艺。 检方目前哀求 判处重要怀疑人陈某 14 年徒刑，判处吴某 9 年徒刑，判处葛某 7 年徒刑，但并未起诉另一涉案人廖某。台积电已将案件移送检方，并重申零容忍态度，将依法追究到底。 |
2025-05-03
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2025-02-26
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